총 투자 규모는 11조9496억원으로 2024년 말 기준 자산총액의 9.97%에 해당한다. 장비 도입은 오는 2027년 12월까지 순차적으로 진행되며 설치와 개조 비용이 포함됐다.
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엔비디아의 ‘GB300’과 SK하이닉스의 ‘HBM3E’, ‘HBM4’ [사진=SK하이닉스] |
이번 투자는 인공지능(AI) 확산에 따른 고대역폭메모리(HBM) 수요 증가와 범용 D램 수요 확대에 대응하기 위한 조치로 풀이된다.
회사는 EUV 장비 도입을 통해 6세대(1c) 공정 전환을 가속화하고, 차세대 메모리 제품 경쟁력을 강화한다는 계획이다.
1c 공정은 미세 회로를 더 촘촘하게 구현할 수 있는 기술로, 차세대 HBM과 DDR5, LPDDR6 등에 적용된다.
회로 선폭이 줄어들수록 같은 면적에서 더 많은 데이터를 처리할 수 있어 성능과 전력 효율이 동시에 개선된다.
EUV 장비는 이 같은 미세공정을 구현하기 위한 핵심 설비다. 기존 장비보다 훨씬 짧은 파장의 빛을 사용해 회로를 그리기 때문에 더 작고 정밀한 반도체 생산이 가능하다.
AI 서버와 모바일 기기에 들어가는 메모리는 고성능과 저전력을 동시에 요구하기 때문에 EUV 공정 전환이 필수적이라는 평가다.
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ASML 홀딩의 EUV 노광 장비 [사진=ASML 홈페이지 갈무리] |
SK하이닉스는 생산 기반 확대에도 속도를 내고 있다.
청주 M15X 공장의 생산능력을 조기에 확대하고, 2단계 클린룸 가동 시점도 기존 계획보다 2개월 앞당겼다.
내년 2월 가동 예정인 용인 1기 팹 역시 초기 생산능력 확보에 집중할 계획이다.
SK하이닉스 관계자는 “EUV 기반 선단 공정 전환을 통해 AI 메모리 경쟁력을 강화하고 범용 메모리 공급도 안정적으로 확대하겠다”고 밝혔다.
/박지은 기자(qqji0516@inews24.com)
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