[이데일리 공지유 기자] 메모리 초호황 등에 힘입어 삼성전자와 SK하이닉스가 가진 현금성 자산이 빠르게 불어난 것으로 나타났다. 인공지능(AI) 반도체 경쟁이 치열한 상황에서 두둑해진 실탄을 바탕으로 차세대 반도체 개발을 위한 생산능력 확대 투자에 나설 것으로 전망된다.

지난해 12월 22일 찾은 용인시 처인구 원삼면 독성리, 죽능리 일원의 SK하이닉스 용인 반도체 클러스터에 SK하이닉스 1기 팹 건물이 일부 올라서고 있다. 1기 팹에는 클린룸 기준 3개층이 들어설 예정이다.(사진=방인권 기자)

5일 SK하이닉스의 감사보고서에 따르면 지난해 기준 SK하이닉스의 현금 및 현금성 자산은 34조9423억원으로 집계됐다. 이는 전년(14조1564억원) 대비 두 배 이상 늘어난 수준이다. 현금화가 쉬운 단기금융상품과 단기투자자산에 현금 및 현금성 자산을 모두 포함한 수치다.

SK하이닉스의 현금성 자산은 메모리 한파가 불어닥친 2023년에는 8조원대 수준이었는데, 2024년 14조원까지 늘었다. SK하이닉스는 지난해 AI 메모리 수요 폭발에 힘입어 47조원대 영업이익을 기록하면서 역대급 실적을 냈다. 고대역폭(HBM) 메모리를 중심으로 한 고부가가치 제품 판매가 증가하면서 현금 보유량 역시 늘어난 것으로 풀이된다.

삼성전자는 지난해 125조8214억원의 현금성 자산을 보유한 것으로 나타났다. 이는 전년 대비 11.7% 증가한 수치다. 현금성 자산에서 차입금을 제외한 순현금도 2022년 이후 3년 만에 100조원대를 회복했다. 삼성전자는 지난해 연간 매출액 333조6059억원을 기록하며 사상 최대 실적을 다시 썼다. 영업이익은 43조6011억원으로 역대 4위였다.

지난해에는 5세대 HBM(HBM3E) 재설계를 통해 시장 점유율을 끌어올렸으며, 범용 D램과 낸드플래시 역시 호황에 힘입어 가격이 뛰면서 실탄 확보에 속도를 낼 수 있었다는 평가가 나온다. 삼성전자는 6세대 HBM(HBM4)에서는 10나노급 6세대(1c) D램 공정을 통해 선제 개발에 역량을 집중하면서 올해 업계 최초로 HBM4 양산 출하에 성공했다. 증권가에서는 올해 삼성전자의 현금성 자산이 215조원까지 늘어날 것으로 보고 있다.

경기도 평택의 삼성전자 평택캠퍼스. (사진=삼성전자)

이처럼 역대급 실적에 현금 곳간이 두터워지면서, 반도체 업계는 차세대 AI 메모리 경쟁력을 강화하기 위한 생산능력 확보에 나서고 있다. 삼성전자는 HBM 생산능력을 확대하기 위해 평택캠퍼스 4공장(P4)에 신규 D램 라인 설치를 추진 중이다. 평택캠퍼스는 총 289만제곱미터(㎡) 규모로 세계 최대 반도체 생산 기지다.

반도체 업계 불황 등으로 중단했다가 재개한 평택캠퍼스 5공장(P5)의 생산능력 확충에도 속도를 내고 있다. 삼성전자는 2028년 가동을 목표로 한 P5에 다음달부터 작업자를 기존보다 1만여명 늘릴 예정이다. 삼성전자는 P5를 HBM과 범용 D램뿐 아니라 낸드플래시와 반도체 위탁생산(파운드리)을 아우르는 ‘메가 팹’으로 조성한다는 계획이다.

SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터에 최첨단 팹 4개를 건설할 예정이다. 지난 2024년 7월 용인 1기 팹에 초기 시설투자에 9조4000억원을 집행한다고 발표한 이후, 최근 신규 시설 투자비 약 21조6000억원을 추가로 집행한다고 발표했다. SK하이닉스는 올해 1월에는 청주에 19조원을 투입해 AI 반도체용 첨단 패키징 공장인 P&T7을 건설하겠다고 밝히면서 캐파 확대에 박차를 가하고 있다.